薩支唐

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　　福建福州人，美國微電子學(xué)家。生于中國北京。50年代初畢業(yè)于美國伊利諾大學(xué)，1954年、1956年分別獲美國斯坦福大學(xué)碩士、博士學(xué)位。1959—1964年先后任美國仙童半導(dǎo)體公司高級成員、物理部主任經(jīng)理，1964—1968年任美國伊利諾大學(xué)教授。1988年至今，擔(dān)任美國佛羅里達(dá)大學(xué)電機(jī)和電子工程系教授、工學(xué)院首席科學(xué)家。美國國家工程院院士（1986），臺灣“中研院”院士（1998）。2000年當(dāng)選為中國科學(xué)院外籍院士。

　　圖源：廈大人

　　薩支唐長期致力于半導(dǎo)體器件和微電子學(xué)研究，對發(fā)展晶體管、集成電路以及可靠性研究作出了里程碑性質(zhì)的貢獻(xiàn)。他提出了半導(dǎo)體p-n結(jié)中電子—空穴復(fù)合理論，開發(fā)了半導(dǎo)體局域擴(kuò)散的平面工藝和MOS、CMOS場效應(yīng)晶體管，并提出MOS晶體管理論模型，發(fā)明了探測半導(dǎo)體中微量缺陷的深能級瞬態(tài)譜（DLTS）方法，發(fā)現(xiàn)了氫在硅中對受主雜質(zhì)的鈍化作用。近期致力于亞微米MOS晶體管的可靠性研究。他曾獲半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會（SIA）最高獎（1998年）等多項獎勵。薩支唐是改革開放以后最早與中國進(jìn)行科技合作與交流的美國科學(xué)家之一。他曾多次訪華，作了20余次系列講座，先后指導(dǎo)了12名中國研究生，還多次協(xié)助在中國舉辦國際學(xué)術(shù)研討會。